观察!百川智能CEO王小川:AI安全尚无近期威胁 现阶段应聚焦能力提升

博主:admin admin 2024-07-05 12:37:28 787 0条评论

百川智能CEO王小川:AI安全尚无近期威胁 现阶段应聚焦能力提升

北京讯(记者 张楠楠)6月14日,在北京智源大会上,百川智能CEO王小川发表演讲,谈及了AI安全问题。他表示,**现阶段的AI能力还很弱,**远达不到能够颠覆人类的程度,因此近期不存在安全问题。王小川认为,AI安全问题的关键在于能力只有当AI能力发展到足以对人类社会造成重大影响时,安全问题才会真正凸显

王小川指出,当前的AI主要应用于一些相对简单的场景,例如图像识别、语音识别、自然语言处理等,这些AI系统还无法进行复杂自主的思考和决策因此很难对人类社会构成威胁

**王小川强调,**与其担忧AI安全问题,不如集中精力提升AI能力。**他呼吁业界共同努力,**推动AI技术发展,让AI能够更好地服务于人类社会

**除了王小川之外,**其他参会的嘉宾也对AI安全问题发表了各自的看法。**智谱AI CEO张鹏认为,**AI安全是一项长期挑战,**需要从技术、伦理、法律等多个方面入手进行综合治理。**月之暗面CEO杨植麟则表示,AI安全问题的核心是价值观问题需要建立一套符合人类价值观的AI发展体系

AI安全一直是备受关注的话题。**近年来,**随着AI技术的快速发展,**一些关于AI可能被滥用的担忧也不断涌现。**专家们呼吁,**业界应高度重视AI安全问题,**共同努力,确保AI技术能够安全可靠地应用于人类社会

三星3D NAND堆叠技术领跑行业,长存美光紧追其后

[美国,加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告,三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位,其平均每单元比特堆叠层数达到了176层,而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出,三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术,例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术,使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外,三星还开发了一种新的3D NAND架构,该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金,并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存,预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一,具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长,3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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